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DIESIA

TEMA III: ELEMENTOS DE MEMORIA

ELEMENTO DE MEMORIA: ELEMENTO CAPAZ DE ALMACENAR UN ESTADO

DURANTE UN TIEMPO DETERMINADO.

PROPIEDAD DE TRANSPARENCIA: DEPENDENCIA DE LOS CAMBIOS DE LASEAL DE SALIDA RESPECTO A LOS CAMBIOS DE LA SEAL QUE SE

QUIERE ALMACENAR.

ELEMENTOS DE MEMORIA TRANSPARENTES

0 1 01 0 1

Seal de entrada

Seal de salida

ALMACENAMIENTO

ESTTICO

ALMACENAMIENTO

DINMICO

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DIESIA

ELEMENTOS DE MEMORIA NO TRANSPARENTES

C

C

Seal de entrada

Seal de salida

Seal de control C

Seal de entrada

Seal de control C

Seal de salida

Fase de transparencia

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ESTUDIO DE BIESTABLES TRANSPARENTES

R = 1 ---> RESET

S = 1 ---> SET

COMBINACIN RS = 11 PROHIBIDA

BIESTABLE RS

R S

00 01 11 10

Z1 Z2

00 11 10 00* 01

01 01* 00 00 01*

11 00 00 00 00

10 10* 10* 00 00

Z1 Z2

R

S

Z1 = R + Z2

Z2

= S+ Z1

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DIESIA

PRINCIPALES TIPOS DE BIESTABLES

0*

1*

0*

0

1

0

1

1*

0

1

00 01 11 10

JK

q

0*

1*

1

0

0

1

0 1

T

q

Q T q=

Q J q Kq+=

0*0

11*

01

0 1

Dq

Q D=

0*

1*

1

1*

-

-

0*

0

0

1

00 01 11 10

RS

q

Q RS Rq+=

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ESTUDIO DE LATCHES

SEALES SNCRONAS: SEALES DE ENTRADA

QUE SON CONTROLADAS POR LA SEAL DE

CONTROL (RELOJ), DE TAL FORMA QUE LA

R

S

Q

Q

C

10 S

0

R

0

R

R

Rint

Sint

Rint

Sint

C

CAPTURA ALMACENAMIENTO

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DIESIA

DIFERENCIA ENTRE SEALES SNCRONAS Y ASNCRONAS

R

S

Q

Q

C

clear

C

R1

S1

R

S

R

S

clear

Q

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ESTUDIO DE FLIP-FLOPS

D

clk

Q D

clk

QD Q

C

maestro esclavo

Q1

C

D

Q1

Q

S Q

Q

S Q

Q

Q

Q

S

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SMBOLOS DE ELEMENTOS DE MEMORIA

RESTRICCIONES TEMPORALES

D Q

clk

D Q

clk

D Q

clk

D Q

clk

LATCHES FLIP-FLOPS

NIVELALTO

NIVEL

ALTO

TRANSICINDE SUBIDA

TRANSICIN

DE BAJADA

tw

tsetup

thold

D

C

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MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

PALABRA: CONJUNTO DE BITS QUE PERTENECEN

A LA MISMA INSTRUCCIN O DATO

DIRECCIN: CONJUNTO DE BITS QUE

IDENTIFICARN UNVOCAMENTE A CADAPALABRA DE MEMORIA

MEMORIA: SISTEMA CAPAZ DE ALMACENAR

D

ecodificador

de

direccin

Matriz de

elementos de memoria

Palabra

Direccin

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CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS

CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO: CANTIDAD DE

INFORMACIN QUE PODEMOS ALMACENAR EN

NUESTRO SISTEMA DE MEMORIA

1 K ---> 210

TIEMPO DE ACCESO: TIEMPO TRANSCURRIDO

DESDE QUE SE SUMINISTRA LA DIRECCIN

HASTA QUE SE ACCEDE A LA PALABRA

REQUERIDA

ACCESO ALEATORIO: IGUAL TIEMPO PARA

TODAS LAS PALABRAS

(MEMORIA RAM)

ACCESO SECUENCIAL: TIEMPO DEPENDIENTE

DE LA LOCALIZACIN DE LA PALABRA(CINTAS)

ACCESO DIRECTO: LA MEMORIA ES SEPARADA

POR BLOQUES, TAL QUE EL ACCESO A CADA

BLOQUE ES ALEATORIO, Y A CADA PALABRA

DEL BLOQUE ES SECUENCIAL(DISCOS DUROS)

ACCESO POR CONTENIDO: ES UN ACCESO

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MEMORIA IDEAL: GRAN CAPACIDAD, ALTA

VELOCIDAD Y POCO PRECIO

RELACIN ENTRE LAS CARACTERSTICAS

DE LAS MEMORIAS

IMPOSIBILIDAD DE LA MEMORIA IDEAL

JERARQUIZACIN DE LA MEMORIA

tiempo de acceso

Capacidad

Capacidad

Co

steporbit

tiempo de acceso

Co

steporbit

Nivel superior

Nivel inferior

dor

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DIESIA

CLASIFICACIN POR TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

MEMORIAS PERMANENTES: LA INFORMACIN NO SE PUEDE ALTERAR, UNA VEZ

ALMACENADA

MEMORIA VOLTIL: LA INFORMACIN SE PERDER CUANDO SE DESCONECTA LA

ALIMENTACIN

MEMORIA DINMICA: LA INFORMACIN SE PERDER CUANDO PASE UN

DETERMINADO TIEMPO. NECESITA CICLOS DE REFRESCO

CLASIFICACIN POR FUNCIONAMIENTO

MEMORIAS ROM Y PROM

PERMANENTE

MEMORIAS EPROM: NO VOLTIL, PERO TRATADA COMO PERMANENTE

MEMORIAS EPROM-FLASH

MEMORIAS EEPROM

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MEMORIAS NOV-RAM = RAM ESTTICA + EEPROM

NO VOLTIL

MEMORIAS RAM ESTTICAS

VOLTIL

MEMORIAS RAM DINMICASVOLTIL Y DINMICA

EJEMPLO DE CONFIGURACIN DE UN SIS-

TEMA DE MEMORIA.

ROM

RAM

0000h

3FFFh

4000h

BFFFh

0 7

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DIESIA

EJEMPLO DE UN SISTEMA DE MEMORIA

Direccin

DatosCS

RD

WRRAM 16Kx8

12

8

Direccin

DatosCS

RDROM 16Kx8

12

8

Direccin

DatosCS

RD

WR

RAM 16Kx8

12

8

4012

3

A11-A0

A11-A0

A11-A0

A15-A12

I/O7-0 RD WR