UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS(Universidad del Per,
DECANA DE AMRICA)
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICAE.A.P.
ElctricaLaboratorio de Circuitos Electrnicos I
Caractersticas de un transistor
PRACTICA N5: Mircoles - 8:00 a 11:00 A.M.
GRUPO: PROFESOR: Sumoso, ngel
INTEGRANTES: Sevillano Reyes, Luis 13190043 Segundo Espinoza,
Jos 13190905 Quispe Mndez, Vladimir 12190050 Laurente Romero,
Alexander 13190197 Zavaleta Guevara, Luis 12190207
Ciudad Universitaria, 2015
Transistores BJT- JFET1. OBJETIVOS:
Hallar las caractersticas de un transistor BJT-JFET. Analizar
las caractersticas de los transistores por medio de polmetro y
osciloscopio. Simular las grficas de los circuitos.
2. MATERIALES:
Generador de CAFuente de CD
osciloscopio
Transistor BJTTransistor JFET
potencimetroresistencias
CIRCUITO ORIGINAL
PRIMER CASO: IB = 25 uAVCE (v)Rb2 ()Rc2 ()Ic (mA)
0.0960.511.041.508600 k600 k600 k600 k10.26 k2.37 k2.22 k2.18
k50607080
SIMULACIONES:
SEGUNDO CASO: IB = 50 uAVCE (v)Rb2 ()Rc2 ()Ic (mA)
0.0870.4980.8221.5450 k450 k450 k450 k10.26 k1.76 k1.67 k1.55
k1.47.87.58
SIMULACIONES:
TERCER CASO: IB = 75 uAVCE (v)Rb2 ()Rc2 ()Ic (mA)
0.0920.50.97312 k312 k312 k
5.78 k1.246 k1.03 k22.510.514
SIMULACIONES:
