Amplificador diferencial.
Vo
V1
R3
R4
V2 +
-
R2
R1
11
22
3
43
21
2o v
R
Rv
R
RR
RR
Rv
Si R2 = R4 y R1 = R3
)vv(R
Rv 12
3
4o
Si v1 = v2 = vic
ic1
2
3
43
21
2oc v
R
R
R
RR
RR
Rv
© ITES-Paraninfo
Circuitos prácticos.
V1
V2
Salida
Sense
25k
INA105
V+
V-
Reference25k
25k25k
+
-
V1
V2
Salida
380k
INA117
V+
V-
Ref. A20k
380k380k
+
-
21,11kRef. B
© ITES-Paraninfo
Amplificador de dos operacionales.
+
-
+
-
Vi+
VoA2
R1
C
RG
R5R4
R3
R2
Vi-
A1
(a)
+
-
+
-
Vi+
Vo
10k
RG
40k
10k
40k
Vi-
(b)
R5
C
3
7
+Vcc
INA126
5
4
6
8
1
2
-Vcc
ii
G
2
1
2o vv
R
R2
R
R1v
GG
2
1
2R
Ωk805GG
R
R2
R
R1
© ITES-Paraninfo
Amplificador de tres operacionales.
+
-
+
-
Vi-
A1
RG R1
R1
Vi+
A2
R2
R2
R3
R3
A
B
C
D
Sense
Salida (Vo)
Referencia
ENTRADA
DIFERENCIAL
A3
ii
G
1
2
3o vv
R
R21
R
Rv
G
1d R
R21A
© ITES-Paraninfo
Amplificador de ganancia programable (I).
PGA204 PGA205 A1 Ao1 1 0 010 2 0 1100 4 1 01000 8 1 1
GANANCIA SELECCIÓN
RED RESISTIVA DERETROALIMENTACIÓN
DIGITALMENTESELECCIONABLE (RG, R1)
PROTECCIÓNSOBRE-
TENSIONES
PROTECCIÓNSOBRE-
TENSIONES
A2
A1
Vi-
Vi+
25k
25k
25k
25k
Sense
Salida (Vo)
Referencia
A1
A0
Vo1 V+
DIGITALCOMÚN
AjusteVos Vo2 V-
1
6 7 98
5
14
15
18
4
13
12
11
10
© ITES-Paraninfo
Amplificador de ganancia programable (II).
+
-
+
-
Vi-
A1
R1
R1
Vi+
A2
R
R
R
R
Sense
Salida (Vo)
Referencia
A3
R2
R4
R3
R3
R2
Ao
A1
SA
SB
I1A
I4B
I3B
I2B
I1B
I4A
I3A
I2A
LÓGICADE
CONTROL
V+
V-
VDDHABILITACIÓN
Vo1
Vo2
A.I.
MPX ANALÓGICODIFERENCIAL
© ITES-Paraninfo
Amplificador de instrumentación. Parámetros
PARÁMETROS
GANANCIA
1 2 4 8 16
Error de ganancia (%) 0.05 0.05 0.1 0.15 0.15
No linealidad a 25ºC (%) 0.05 0.05 0.1 0.15 0.15
Deriva del error de ganancia (ppm/ºC)
0.5 0.5 0.5 0.5 1
Tensión de ruido (RTI) @ 0,1 - 10Hz (mVpp)
5 5 5 4 3
Corriente de ruido @ 0,1 – 10Hz (nApp)
60 60 60 60 60
Ancho de banda a 3dB (MHz) 4 2 1.1 0.65 0.35
Ancho de banda de potencia (MHz)
0.1 0.1 0.1 0.35 0.35
Slew rate, (V/ms) 6 6 6 24 24
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (I).
Vi+
Vi-
+Vcc1
-Vcc1
+Vcc2
-Vcc2
Vo
(a) Aislamiento de dospuertos
Vi+
Vi-
Vo
-Vcc+Vcc
(b) Aislamiento de trespuertos
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (II).
MODULADORDIGITAL
DEMODULADORFILTRO PASO
BAJOVs Vo
BARRERA DE AISLAMIENTO
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (III).
ISO102. © ITES-Paraninfo
OSCI-LADOR
fo
+5 VSALIDA
DETECTORDE
FRECUENCIA
FILTRODE
BUCLE
FILTROPASOBAJO
fo
+5 VSALIDA
AJUSTEDESPLAZ. +Vcc2-Vcc1
BARRERA DEAISLAMIENTO
-Vcc2+Vcc1
REF1
REF2
VCO
VIN
BUCLE ENGANCHADO ENFASE PLL
Vo
(VSAL)
C2
COMÚNDIGITAL
COMÚNENTRADA
AJUSTE DEGANANCIA
Vi
DESPLAZ.0,5k
2,5k
24,5k
97,5k
VCO3pF
3pF
3k
3k
AMPL.
1
2
3 4 10
1112 13
14
15
16
21
22
23 24
COMÚNSALIDA
C1
fo
fo
of
9
Amplificadores aislados (IV).
COMÚNENTRADA
COMÚNSALIDA
Vs
Rs
Is
A1
A2
D1
R
D2
LED
Vo+
IsIs
BARRERA DEAISLAMIENTO
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (V).
MODULADOR
DEMODULADORY FILTRO PASO
BAJO
OSCILADORRECTIFICADOR
Y FILTRO
V5
FB
G=1
IN+
IN-
COMÚNENTRADA
+VISO
SALIDA
1
2
3
4
5
+7,5
-7,5
ENERGÍA
SEÑAL
AD202
25kHz
Hi
Lo
Vo
+15V DC
MASA DE LAFUENTE DC
Vs V/F Vo
38
37
31
32
6
-VISO
SALIDA
V5
F/VV/F
AD202/20416
3,8
6,553
SEÑAL
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (VI).
+Vcc
+Vcc1
X
(1)ISLA1
+-
-Vcc
+Vcc
+Vcc2
(2)
ISLA2
+-
-Vcc
ISLA3
CIRCUITO DEMEDIDA
+Vcc
-VccT
© ITES-Paraninfo
Amplificadores aislados (VII).
+
-RF
Io
IMPEDANCIADEL
AISLAMIENTO
RIN
IL
COMÚN DELCIRCUITO DE
SALIDA
COMÚN DELA ENTRADA
ViCM
VS
RSIS VISOIMRR*
Ii
VISO
Vo
CMRR
ViCM
*IMRR en A/V
-
+
ZISO
BARRERA DE AISLAMIENTO
IMRR
VRiv ISO
Fso
FISOs
Fcso RIMRRV
R
R
CMRR
vvv
IMRR
V
R
R
CMRR
vvv ISO
s
Fcso
© ITES-Paraninfo
Amplificador de transimpedancia (I).
CIRCUITO EQUIVALENTEIDEAL
CFA
SÍMBOLO
IS
+ ZmOLIC
VoIe
IF
(a)
+1
+
+1
RF
RB
Ie ZmOLVi
Vo
RG
Ie
CIRCUITO EQUIVALENTE REAL
(b)
© ITES-Paraninfo
Amplificador de transimpedancia (II).
OLF
G
FOL
i
o
ZmR
R
R1Zm
v
v
G
F
i
o
R
R1
v
v
© ITES-Paraninfo
+ ZmOLIC
Vo
Ie
(a)
+
RB
Ro
Vi
RF
RG
Am
pli
tud
de
la S
alid
a, d
B
Ganancia = 1Vcc = 15 V Ri = 150 Ohm Vi = 200 mV RMS
Frecuencia f, Hz
THS 3001TEXAS INSTRUMENTS
(b)
Amplificador de transconductancia (I).
IABC
Io
+V
IL
IoT
ABCm V2
Ig
B
1DCC1ABC R
VVVI
© ITES-Paraninfo
IABC
(a)
Io Salida
V1
( )
( )
Io
Vcc
Vcc
Entradas
RB
IABC
(b)
VD1
Amplificador de transconductancia (II).
1B
1Dcc21
B1
B
1Dcc21mo0 V
R
VVVV
R
RRV
R
VVVRVgRIV
Cπ2RR
gRf
34
m3c
© IT
ES
-Par
anin
fo
IABC
Io
V1
R
RB
Vo
V2
MULTIPLICADOR ANALÓGICO
IABCVi
Vo
v
+VccR1
R2
R3
R4 C
RL
VccFILTRO ACTIVO
log f
A
3 dB
V1 V2 V3
fc1 fc2 fc3
Vo
Vi
(dB)
Amplificadores troceadores.
© ITES-Paraninfo
+A2A1
A3
A4
CIRCUITO DECONTROL DE MODO
fM
Vi+
Vi-
S1
-RL1 RL2
CA CB
VREF
S2
Vo
(a)
(b)
A
Vi(f)
f
VA(f)
f
f
2fM
3fM
4fM
fMVB(f)
B
Amplificadores logaritmicos (I).
VinVin=100VxVin=10Vx
Vin=Vx
Ideal
Real
2Vy
Vy
oV=xVinV
log.yV
Vin VoLOG
Escalalogarítmica
x
i10yo V
vlogVv
© ITES-Paraninfo
Amplificadores logaritmicos (II).
R
Ii
I = Ii
D
Vo
-Vi
I
VDIODO
I
V
+ -
I
V
o
i
o
io IR
vlog06,0
I
iln
q
kTv
© ITES-Paraninfo
Amplificadores logaritmicos (III).
© ITES-Paraninfo
Vo
Vi
G1
= NA dB
G = 0
G3
= (N-2)A dB
(b)
G2
= (N-1)A dB
A dB A dBA dBA dB
Vi
Vo
N = 4 CASCADA
(a)
Amplificadores logaritmicos (V).
© ITES-Paraninfo
2
1,5
1
0,5
2,5
3
1 10 100 1000300 V
I o2
(mA
)
ViRF (mV)
4 3 2 1
Suma de las corrientes de losdetectores individuales
(b)
1 2 3 4
SUMADOR
Vi
RFModulada
Vo1
A
BVo2 , Io2
G = 12 dB/etapa
RFModulada
Moduladora detectada
(a)
Selección de operacionales.
© ITES-Paraninfo
BiFET
- Alta SR
CMOS
- Bajas tensiones
- Simple fuente DC
- Bajo consumo
- Operación RAIL to RAIL
Zin
Iin
VOSESTABLE
B
Io
- Muy bajo ruido
- Baja tensión offset
- Ad muy alta
BIPOLAR
Circuitos basados en operacionales con resistencias reales (I).
Vo
V1
R1
R2
V2 +
-11 RΔR
22 RΔR
21121
211212
11
22o v
ΔRRRR
ΔRRΔRRvv
ΔRR
ΔRRv
© ITES-Paraninfo
Circuitos basados en operacionales con resistencias reales (II).
© ITES-Paraninfo
Vo
+
-
Vio
R
C
(a)
Vo
+
-R
C
(b)
ib1
ib2
Circuitos basados en operacionales con resistencias reales (III).
© ITES-Paraninfo
+
- Vo= 0
Vcc V
cc
Vi
R
C
Vcc
Vcc
+
-
Vcc V
cc
Vi
R
C
Vcc
Vcc
dtVRC
1V io
Circuitos basados en operacionales con resistencias reales (IV).
dod vR
R'Rv
CR'2π
1fmín
© ITES-Paraninfo
Vi
VO
+
-R
C
R’
log f
)dB(Vi
Vo
RC2
1
IntegraAmplifica
(a) (b)
Circuitos basados en operacionales con resistencias reales (V).
+
-
R
C
VO
Vi
(a)RCπ2
1
A
1/
40dB/dec
Ad
Inestable
log f
(b)
RCjω11/β
© ITES-Paraninfo