Post on 11-Sep-2015
description
transcript
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN
El primer transistor el 23 de diciembre de 1947,
desarrollado por William B. Shockley, Walter H.
Brattain y John Bardeen
Es un dispositivo semiconductor formado por dos
capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de
material tipo p ( n), por lo que:
EXISTEN TRANSISTORES NPN PNP
Son dispositivos de 3 terminales (emisor, base y
colector):
La capa del emisor est fuertemente dopada
La del colector ligeramente dopada
Y la de la base muy poco dopada, adems ms
delgada.
n pp
B
CE
Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base
Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y
Activo.
Modo Unin E-B Unin C-B
Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Saturacin Directo Directo
PRUEBA DE
TRANSISTOR CON
MULTMETRO
Transistores BJT en modo activo
pnn
B
CE IC=IS(eVBE/V
T)
En este modo la corriente de colector es determinada por la
ecuacin (1).
La corriente de base (IB) es una fraccin de la corriente de
colector (IC); ecuacin (2).
El valor de es tpico de 100 a 200 en dispositivos de
pequea seal.
La corriente del emisor es la suma de las corrientes, ec (3).
IB=IC/
IE=IC+IB
IE=IC/=IB (+1)
(1)
(2)
(3)
pnn
B
C E
B
C E
Transistor BJT NPN Smbolo
npp
B
C E
B
C E
Transistor BJT PNP Smbolo
Transistor TBJ NPN
Transistor TBJ PNP
Configuracin de BASE comn
La corriente de colector es
constante, por tanto el
colector se comporta como
una fuente de corriente
constante en la regin activa.
Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de base
comn.
Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de
emisor comn.
Configuracin de EMISOR comn
A diferencia de la configuracin
anterior, el voltaje CE si tiene
influencia sobre la magnitud de
la corriente de colector.
Configuracin de COLECTOR comn
Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de
impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al
contrario de las otras dos configuraciones.
Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta
configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.
Punto de Operacin
1. El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la
operacin del mismo tanto en DC como en AC
2. El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito
3. Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de
operacin deseado.
4. Cada diseo determinar la estabilidad del sistema
5. El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del
transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal
aplicada.
Circuito de polarizacin fija (AUTOPOLARIZACIN).
Polarizacin por divisor de voltaje
Se
recomienda:
VE=(1/10)Vcc
R2(1/10)RE
IcQ=(1/2)ICSat
* El punto Q o punto quiescente o punto
de operacin del transistor, en emisor
comn: (VCEQ, ICQ).
Saturacin: Mximos niveles de operacin
VCE=0
RCE=0
ICSat=Vcc/Rc
ICSat=Vcc/(Rc+ RE)
Polarizacin por retroalimentacin de voltaje
10V
-10V
1k
2k
=100
10V
5V 2k
100k
=100
10V
4V
3.3k
4.7k
=100
10V
6V
3.3k
4.7k
=100
10V
3.3k
4.7k
=100
EJERCICIOS DE POLARIZACIN
=100
1)
2)
4)
5)
6)
3)
REFERENCIAS:
Transistores BJT.ppt, URL:http://www.utm.mx/~mtello/Transistores%20BJT
.ppt
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/prueba/prueba/image009.gif
http://www.empresas.mundo-r.com/cromavideo/IMA/transistores2.JPG