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7/23/2019 Gua Laboratorio Electronica I 2012
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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSAUNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA
DE LA FUERZA ARMADA NACIONALU.N.E.F.A. NCLEO MARACAY
COORDINACIN DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES
GUA PRCTICA
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
ABRIL DE 2010
Actualizado por:Dra. Mara del Pilar Prez
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 1
CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos
recortadores.
Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos
dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica.- Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva
caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.
Procedimiento:
1. Monte el siguiente circuito:
Figura 1
- Coloque los controles del
generador de funciones en:
Vi = senoidal f = 200 Hz
- Aumente la amplitud y observe lo
que sucede en Vo.
- Para amplitud media, fotografe la
seal observada y mida los valores pico de la seal.
- Grafique Vo vs. Vi en el
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Vi+Vo
-V
Vi
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osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de
presentacin XY. Vare la amplitud y fotografe lo observado para amplitud mxima.
- De quienes dependen los valores
pico de la seal final? Justifique.
- Invierta el diodo (en media
amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo
observado.
- Justifique el por qu de las
diferencias entre los grficos anteriores.
- Sustituya el diodo por el diodo
zener y repita todos los pasos anteriores. Analice y concluya.
2. Monte el siguiente circuito:
Figura 2
- Coloque los controles del generador de funciones en:
Vi = senoidal f = 200 Hz Amplitud = media- Mida los valores pico de Vo;
- Grafique Vo vs. Vi en el osciloscopio y fotografe lo observado en Vo y Vo vs. Vi.
- De quines dependen los valores pico de la seal final? Justifique.
- Invierta el diodo y repita el paso anterior.
- Justifique las diferencias entre los grficos anteriores.
3. Monte el siguiente circuito:
Figura 3
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+Vo
-
Vi
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- Ajuste Vi a amplitud mxima y f =
200 Hz.
- Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y
comience a aumentar V. Observe lo que sucede para V = 4 voltios.
- Mida los valores pico de Vo y
grafique Vo vs. Vi
- Vare la fuente, observe y anote lo
sucedido, fotografe la forma de onda de Vo y Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique.
- Repita el procedimiento anterior
para el Circuito de la figura N 4
- Observe que slo se invirtieron la
fuente VDC y el diodo.
Figura 4
- Coloque los controles del
generador de funciones en:
Ajuste Vi a amplitud mxima y f = 200 Hz.
- Grafique Vo y compare con la
seal de entrada Vi.
- Invierta el diodo y dibuje lo
observado.
- Justifique el por qu de las
diferencias entre los grficos anteriores.- Para la posicin inicial del diodo
grafique Vo vs. Vi colocando en osciloscopio en XY, graficando Vo en el canal 2 y
Vi en el canal 1.
- Fotografe lo observado. Justifique
las diferencias entre las grficas obtenidas entre los dos circuitos. Concluya.
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Vi
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2.4. Monte el siguiente circuito:
Figura 5
- Ajuste Vi a amplitud mxima y f =
200 Hz.
- Vare V1 y V2 y observe lo que
sucede en Vo; mida los valores pico para V1 = 4 voltios y V2 = 6 voltios.
- Grafique en el Osciloscopio Vo vs.
Vi; vare las fuentes, observe lo que sucede y anote los resultados.
- Fotografe las formas de onda
obtenidas para Vo y Vo vs. Vi.
Post-Laboratorio:
- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento
de la prctica
- Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica, analice y
concluya.
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PRCTICA N 2
CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin de
rectificar la seal de entrada en media onda y onda completa.
Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central.
Pre-Laboratorio:
- Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vi y Vo.
- Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para
cada uno de los circuitos de la prctica.
- Mida en la simulacin, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en
los diodos para cada uno de los circuitos de la prctica.
Procedimiento:
1. Monte el siguiente circuito:
Figura 1
- Coloque los controles delGenerador de Funciones en:
Vi = 5V (Senoidal) F=200Hz
- Grafique Vo y compare con la
seal de entrada Vi. Fotografe Vo y Vi.
- Mida el voltaje DC y la corriente
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+Vo-
D2
+
-
Vi 5V/200Hz 10K~
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DC que circula por la carga y por el diodo. Compare con los calculados y simulados
en el pre-laboratorio.
- Mida el voltaje de pico inverso
(VPI) que aparece en el diodo, comprelo con el valor pico de V i.
- Invierta el diodo y fotografe lo
observado en Vo y en Vi.
- Justifique por qu existen
diferencias entre los grficos anteriores.
- Para la posicin inicial del diodo,
grafique Vo vs. Vi colocando el Osciloscopio en XY, y graficando Vo en el Canal 2
y Vi en el Canal 1.
- Fotografe lo observado. Concluya.
2. Monte el siguiente circuito:
Figura 2
- Coloque los controles del
Generador de Funciones en:
Vi = 6 voltios (senoidal) F =200 HZ- Observe la seal que aparece en R.
(Vr) y comprela con la de V i. Fotografe Vo y Vi.
- Mida el voltaje DC de la carga Vr y
compare con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
- Mida el voltaje de pico inverso
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6
+
Ir
D3
D2 D4
D1
+
-
Vi 6V/200Hz
Vr
1K
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(VPI) que aparece en cada diodo, comprelo con el valor pico de V i.
- Mida IR (en DC); mida la corriente
DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
- Mida VR y desconecte una rama
del puente (por ejemplo D3).
- Mida VR nuevamente y comprelo
con el primer valor tomado.
- Explique lo que sucede con VR al
desconectar una rama del circuito.
- Explique la operacin de este
circuito e indique qu relacin existe entre las corrientes IR e ID.
3. Monte el siguiente circuito:
Figura 3
- Coloque los controles del
Generador de Funciones en:
Vi = 6 voltios (senoidal) F =200 HZ
- Grafique Vo y comprela con el
valor pico de Vs. Fotografe Vo y Vs.
- Sustituya el D1 por un corto e
indique qu sucede a Vo.- Mida el voltaje DC de la carga Vo y
comprelo con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
- Mida el VPI que aparece en cada
diodo, comprelo con el valor pico de Vs.
- Mida IR (en DC); mida la corriente
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D2
D1
TX1
+
-
Vi
6V/200Hz10K
- Vo +
+Vs-+Vs-
IR
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DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
- Explique la operacin de este
circuito e indique la diferencia entre el mismo y el montado en la experiencia 2.
Post-Laboratorio:
- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento
de la prctica
- Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los
obtenidos en la prctica, analice y concluya.
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PRCTICA N 3
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE - FUENTE DEALIMENTACIN REGULADA CON DIODO ZENER
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como regulador
de voltaje y emplearlo en el diseo de una fuente de alimentacin regulada.
Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseo, Resistores
varios. Valores comerciales ms cercanos para los dispositivos calculados en el diseo.
Pre-Laboratorio:
- Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde
asumir el valor comercial ms cercano al calculado y determine la potencia de los
resistores y diodos que emplear.
- Simule el circuito del procedimiento 1 de la prctica y obtenga todos los valores de
corrientes y voltajes DC que corresponda de acuerdo al caso que corresponda.
- Disee una fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener como la mostrada en
el procedimiento 2, segn las caractersticas y restricciones dadas por el instructor
de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variacin IL de la corriente de
carga, variacin de RL, (que soporte la condicin de circuito abierto), etc.
- Simule la fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener diseada y mida paracada caso representado por las restricciones del diseo los voltajes y corrientes DC
correspondientes.
Procedimiento:
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1. Diodo Zener como regulador de voltaje.
Atendiendo a las caractersticas del Zener adquirido y con relacin al circuito mostrado
en la figura 1:
Figura 1
(Va variable, RL variable)- Obtenga el valor de Rs de tal forma que su diodo Zener soporte variaciones de una
fuente de alimentacin no regulada denominada Va y variaciones de RL.
Asumiendo Vamax = 3Vz y RL min = 470, calcule Vamin y RLmax de acuerdo
con las caractersticas del diodo Zener y tomando en cuenta sus condiciones
bsicas de seguridad.
- Una vez obtenidos los valores, monte el circuito y mida Va, IR, IZ, IL y VZ, para cada
uno de los casos siguientes:a) Vamax, RLmax
b) Vamax, RLmin
c) Vamin, RLmax
d) Vamin, RLmin
- Determine cules de esos casos son los ms extremos y por qu
- Compare los valores obtenidos con los calculados y simulados previamente,
concluya sobre las condiciones de trabajo idneas para que un diodo Zener actecomo regulador de voltaje, as como tambin sobre lo criterios prioritarios a tomar
en cuenta en este diseo.
2. Fuente de Alimentacin regulada con Diodo Zener.
- Monte la fuente de alimentacin regulada con diodo zener mostrada en la figura 2 y
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VzZENER
RL
Rs
+
Va
IR
IZ
IL
+
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diseada en el pre-laboratorio de la prctica
ZENER
+
CRL
Rs
60 Hz
Vin
-110/110V N:a
Figura 2
Una vez montado el diseo, realice todas las mediciones de los parmetros de
corriente y voltaje. Comprelos con los tericos y con los simulados.
Nota:
- Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teora) y usar valores comerciales.
Post-Laboratorio:
- Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento
de la prctica
- Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos
en la prctica, analice y concluya.
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PRCTICA N 4
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con BJT,
observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de mxima
potencia, as como tambin las curvas caractersticas de entrada y de salida de
cada transistor.
- Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor
de R para obtener la mxima excursin simtrica para Q1
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs hasta
obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada
y salida. Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y
seale sobre ella el punto Q de operacin.
- En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento
presentado en el apartado anterior.
Procedimiento:
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1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el
mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y
Vce, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura
y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla
del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la
obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida
en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y
seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarizacin Colector a Base (por Retroalimentacin del Colector):
- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.
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3. Polarizacin por Divisor de Tensin:
- Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
- Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
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- Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variacin de (de transistor) en
relacin con el empleo de los tres circuitos empleados en la prctica.
- Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un BJT. Justifique.
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PRCTICA N 5
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET,
observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores
varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.
Pre-Laboratorio:
- Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y
de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp.
- Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor deRs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1.
- Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo
nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs,
Vds e Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el
punto Q de operacin.
- En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento
presentado en el apartado anterior.
Procedimiento:
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el
mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y
Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su
cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la
pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y
comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el
elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los
obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarizacin por Divisor de Tensin:
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
- Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
- Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
- Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su
variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique.
- Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.
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PRCTICA N 6
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEASEAL CON BJT
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las
caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
- Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la
figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor.
- Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C)
de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor.
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
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Figura 1 Figura 2
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Procedimiento:
1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C)
- Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros
DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor y por qu.
- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los
valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e
Ic 0.
- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Midaen el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.
- Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y
Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C)
- Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros
DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor.
- Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los
valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa.
- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Midaen el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.
- Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y
Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
Post-Laboratorio:
- Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
- Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y
concluya.
OBSERVACIONES
Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezcaconstante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias
medias (f 1KHz).
MTODOS PARA LA MEDICIN DE LOS PARMETROS DE UN CIRCUITO
AMPLIFICADOR
Ganancia de tensin Av=Vo/Vb.
Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener
la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs delgenerador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin
la carga del circuito
Resistencia de entrada, Ri=Vb/is
Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb:
a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de
seales sin carga).
b)Mida Vb con cargac)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri.
Rs es la resistencia del generador (50 )
Ganancia de corriente Ai=io/ib
No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva,
pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia.
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
a)Obtenga io como io=Vo/Rc
b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(R1 + R2)
c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai
Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre
colector y tierra
A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de
salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra,
con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente
entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico.
Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin
de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el
procedimiento:
a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL)
b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el
capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC
c)Despeje Ro, de la ecuacin: Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)
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PRCTICA N 7
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEASEAL CON JFET
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando
las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
- Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura
1, para una ganancia |Av|= 2, RL=1k, VDD=20V
- Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la
figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor.
- Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
Procedimiento:Actualizado por:
Dra. Mara del Pilar Prez
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Figura 1 Figura 2
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn.
- Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetrosDC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.
- Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y
Resistencia de salida Ro.
2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente.
- Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros
DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
- Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia
de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
- Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.
Post-Laboratorio:
- Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
- Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones yconcluya.
- gm=gmo.(ID/Idss); gmo=2.Idss / Vp
-
PRCTICA N 8
Actualizado por:Dra. Mara del Pilar Prez
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CONBJT Y CON JFET
Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en
etapas cascode con BJT y con JFET.
Materiales
- 2 transistores BJT 2N2222.
- 2 transistores JFET MPF102.
- Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios.
Pre-Laboratorio:
- Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una
corriente de colector igual a 10 ma.
- Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean
una corriente de drenador igual a 6 ma.
- Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima
que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados
en el procedimiento de la prctica.
Procedimiento:
Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga:
- El punto Q de cada transistor (en DC).
- La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC).
- La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC).
- Grafique las seales de entrada y de salida
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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Coord. Ing. de TelecomunicacionesUNEFA Ncleo Maracay
Post Labortorio
- Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del pre-
laboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya.
- Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una
aplicacin de esta configuracin.
- De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador
de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.
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Figura1
Figura 2